湖北自考2011年電子技術基礎：存儲器與可編程邏輯器件

湖北自考2011年電子技術基礎：存儲器與可編程邏輯器件

　　存儲器與可編程邏輯器件

　　（一）學習目的與要求

　　通過本章的學習，理解RAM的結構，了解單管動態(tài)存儲單元和靜態(tài)存儲單元的工作原理，了解固定ROM的結構，了解一次可編程PROM的編程概念，了解場效應管在EEPROM中的作用，了解可編程邏輯器件的類型。

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　　第一節(jié)

　　讀寫存儲器RAM的結構（動態(tài)存儲單元和靜態(tài)存儲單元的基本原理）。

　　第二節(jié)

　　只讀存儲器ROM的結構（一次可編程的PROM，可擦可寫的EEPROM的工作原理）。

　　第三節(jié)

　　可編程邏輯器件的類型和結構，ispLSI1016的簡介。

　　（三）考核知識點

　　1. 讀寫存儲器的基本原理。

　　2. 只讀存儲器的基本原理。

　　（四）考核要求

　　1. 讀寫存儲器。（一般）

　　（1）領會：RAM的基本結構。

　?。?）識記：單管DRAM存儲信息的元件。

　?。?）識記：六管SRAM的結構。

　　2. 只讀存儲器。（一般）

　?。?）領會：固定ROM的基本結構及簡化結構示意圖。

　?。?）識記： ROM的編程概念。

　?。?）識記：EEPROM中的疊柵管的作用。