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全國(guó)2008年7月電子技術(shù)基礎(chǔ)(一)試卷

湖北自考網(wǎng) 來(lái)源: 時(shí)間:2008-11-09 15:40:16
         全國(guó)2008年7月電子技術(shù)基礎(chǔ)(一)試卷
       
 
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全國(guó)2008年7月電子技術(shù)基礎(chǔ)(一)試卷
課程代碼:02234
一、單項(xiàng)選擇題(本大題共15小題,每小題2分,共30分)
在每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的,請(qǐng)將其代碼填寫(xiě)在題后的括號(hào)內(nèi)。錯(cuò)選、多選或未選均無(wú)分。
1.P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是(  ?。?br>A.自由電子 B.空穴
C.負(fù)離子 D.正離子
2. 理想二極管構(gòu)成的電路如題2圖所示,則輸出電壓U0為(  ?。?br>A.-10V B.-6V
C.-4V D.+4V

3. 半導(dǎo)體三極管處在放大狀態(tài)時(shí)是(   )
A.C結(jié)反偏e結(jié)反偏 B.C結(jié)正偏e結(jié)正偏
C.C結(jié)正偏e結(jié)反偏 D.C結(jié)反偏e結(jié)正偏
4. 測(cè)得某電路中半導(dǎo)體三極管各管腳的電位如題4圖所示,則該管是處在(  ?。?br>A.放大狀態(tài) B.飽和狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài) D.不確定狀態(tài)

5. 下述基本放大電路相比較,輸入電阻高輸出電阻低的是(   )
A.共射極放大電路 B.共基極放大電路
C.共集電極放大電路 D.共源極放大電路
6.場(chǎng)效應(yīng)管與半導(dǎo)體三極管比較,場(chǎng)效應(yīng)管是(  ?。?br>A.輸入電阻低,輸出電阻低 B.電壓控制器件
C.輸入電阻低,熱穩(wěn)定性能好 D.輸入電阻低,輸入電流小
7. 為使輸入電阻提高,在放大電路中應(yīng)引入交流(   )
A.電壓負(fù)反饋 B.電流負(fù)反饋
C.并聯(lián)負(fù)反饋 D.串聯(lián)負(fù)反饋
8. 下述放大電路中低頻特性最好的是(   )
A.阻容耦合電路 B.變壓器耦合電路
C.直接耦合電路 D.OTL電路
9. 在雙端輸入的差動(dòng)放大電路中,知ui1=10mv,ui2=-6mv,則共模輸入信號(hào)為(  ?。?br>A.4mv B.8mv
C.10mv D.2mv
10. 正弦波振蕩電路起振時(shí)的幅度條件是(   )
A.||<1 B.||=1
C.||>1 D.||=0
11. 邏輯函數(shù)F=AB+C的最小項(xiàng)表達(dá)式為(  ?。?br>A.F(ABC)=∑m(1.3.6.7) B.F(ABC)=∑m(2.3.6.7)
C.F(ABC)=∑m(1.2.6.7) D.F(ABC)=∑m(1.3.5.6)
12. 邏輯函數(shù)F(ABC)=A+C+C的最簡(jiǎn)與或表達(dá)式為(  ?。?br>A.F=A+C B.F=A+
C.F=+B D.F=+
13. CMOS型門(mén)電路組成的邏輯電路如題13圖所示,其輸出函數(shù)F與A.B.C間的邏輯關(guān)系式為(  ?。?br>A.F=AB+C B.F=A+C
C.F=0 D.F=1

14. TTL型門(mén)電路組成的邏輯電路如題14圖所示,其輸出函數(shù)F的邏輯關(guān)系式為(  ?。?br>A.F=A+B B.F=
C.F=0 D.F=1

15. 要使邊沿觸發(fā)型JK觸發(fā)器具有Qn+1=的功能,其輸入信號(hào)必須滿足(  ?。?br>A.J=K=0 B.J=K=1
C.J=1,K=0 D.J=0,K=1
二、填空題(本大題共10小題,每空1分,共10分)
請(qǐng)?jiān)诿啃☆}的空格中填上正確答案。錯(cuò)填、不填均無(wú)分。
16.二極管的反向電流IRM越小,說(shuō)明二極管的_________性能越好。
17.在共射、共基、共集三種組態(tài)的基本放大電路中,輸入電阻最低的是_________放大電路。
18.交流負(fù)反饋有4種組態(tài),若要求輸入電阻高,輸出電阻高,在放大電路中應(yīng)引入_________負(fù)反饋組態(tài)。
19.要穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn),在放大電路中應(yīng)引入_________負(fù)反饋。
20.單相橋式整流電容濾波電路接正常負(fù)載,知變壓器次級(jí)電壓有效值U2=15V,則輸出電壓平均值U0為_(kāi)________V。
21.十進(jìn)制數(shù)(36.9)10的8421BCD數(shù)是(_________)8421BCD。
22.已知函數(shù)F的最小項(xiàng)表達(dá)式為F(ABC)=m(1.3.4.5),其最簡(jiǎn)與非表達(dá)式為F=_________。
23.由五級(jí)觸發(fā)器組成的計(jì)數(shù)器,其最大進(jìn)制(模)數(shù)N=_________。
24.集成雙向移位寄存器74LS194應(yīng)用電路如題24圖,設(shè)電路初始狀態(tài)為Q0Q1Q2Q3=1000,經(jīng)過(guò)兩個(gè)CP脈沖作用后,電路狀態(tài)為Q0Q1Q2Q3=_________。

25.555定時(shí)器組成的施密特觸發(fā)器電路如題
......
......
結(jié)束
本文標(biāo)簽
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