浙江省2008年4月自考線性電子電路試卷

湖北自考網(wǎng) 來源：時間：2008-11-09 15:52:06

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浙江省2008年4月自考線性電子電路試卷
課程代碼：02340
一、填空題(本大題共10小題，每空1分，共20分)
請在每小題的空格中填上正確答案。錯填、不填均無分。
1.半導(dǎo)體中，由濃度差引起非平衡載流子運動，形成_________電流，由外加電場引起載流子運動形成_________電流。
2.溫度升高時，晶體二極管的Is將_________，VD(on)將_________。
3.晶體三極管工作在截止模式下的外部條件是發(fā)射結(jié)和_________結(jié)均為_________偏置。
4.N溝道MOSFET中，為保證器件正常工作，_________極應(yīng)接在電位的最低點，而P溝道的MOSFET，則該電極應(yīng)接在電位的_________。
5.P溝道EMOS管工作在飽和區(qū)的條件是_________和_________。
6.放大器的失真根據(jù)其產(chǎn)生的機理不同可分為_________失真和_________失真兩大類。
7.電流源電路的主要參數(shù)是_________和_________。
8.反饋元件并接到輸入信號源兩端的為_________反饋，否則為_________反饋。
9.負(fù)反饋放大電路自激的幅度條件是_________，相位條件是_________。
10.滿足理想化條件的集成運放應(yīng)具有無限大的差模輸入電阻、趨于零的_________電阻、無限大的差模電壓增益和_________抑制比、無限大的頻帶寬度以及趨于零的失調(diào)和漂移。
二、單項選擇題(本大題共15小題，每小題2分，共30分)
在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其代碼填寫在題后的括號內(nèi)。錯選、多選或未選均無分。
1.雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度( )
A.只與溫度有關(guān) B.取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無關(guān)
C.與溫度無關(guān) D.與摻雜濃度和溫度都無關(guān)
2.一個硅二極管在正向電壓VD=0.6V時，正向電流ID為10mA，若VD增大到0.66V(即增加10%)，則電流ID( )
A.約為11mA(也增加10%) B.約為20mA(增大1倍)
C.約為100mA(增大到原先的10倍) D.仍為10mA(基本不變)
3.某晶體三極管的IB為10μA，IC為1mA，ICEO為0.1mA則該管的β值為( )
A. 100 B. 110
C. 90 D. 80
4.已知某三極管VBE=0.7V，VCE=3V，則該管工作在_________區(qū)。( )
A.放大 B.飽和
C.截止 D.擊穿
5.判別晶體管是否工作在飽和狀態(tài)，最簡單的是測量( )
A. IB B. VCE
C. VBE D. IC
6.場效應(yīng)管工作在放大狀態(tài)時，其靜態(tài)工作點應(yīng)設(shè)置在輸出特性曲線的( )
A.非飽和區(qū) B.飽和區(qū)
C.截止區(qū) D.擊穿區(qū)
7.P溝道DMOS管的電路符號為( )
A. B. C. D.
8.晶體管的混合π型等效電路模型在下列哪種情況下才能應(yīng)用?( )
A.小信號，管子處在飽和區(qū) B.大信號，管子處在放大區(qū)
C.小信號，管子處在放大區(qū) D.大信號，管子處在飽和區(qū)
9.共發(fā)射極電路信號從( )
A.基極輸入，集電極輸出 B.發(fā)射極輸入，集電極輸出
C.基極輸入，發(fā)射極輸出 D.發(fā)射極輸入，基極輸出
10.電容耦合放大電路不能放大( )
A.直流信號 B.語音信號
C.交變信號 D.高低頻混合信號
11.希望放大器具有穩(wěn)定的輸出電壓和低的輸入電阻，應(yīng)引入_________負(fù)反饋。( )
A.電壓串聯(lián) B.電壓并聯(lián)
C.電流串聯(lián) D.電流并聯(lián)
12.判別負(fù)反饋放大電路的反饋極性所用的方法通常稱為( )
A.方框圖法 B.瞬時極性法
C.短路法 D.開路法
13.若要求僅在輸入電壓過零時，輸出電壓發(fā)生跳變，除此以外輸出電壓保持不變，則應(yīng)選用( )
A.反相比例放大器 B.積分器
C.遲滯比較器 D.過零比較器
14.若要將周期性方波電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槿遣妷?，則應(yīng)選用( )
A.反相比例運算電路 B.同相比例運算電路
C.微分運算電路 D.積分運算電路

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結(jié)束

本文標(biāo)簽

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